Número do Produto do Fabricante:
TSM4NB65CI C0G
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
TSM4NB65CI C0G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventário:
12899533
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TSM4NB65CI C0G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.37Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
13.46 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
549 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
70W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
ITO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Número do produto base
TSM4NB65
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TSM4NB65CI C0G-DG
TSM4NB65CIC0G
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRFIB5N65APBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
927
NÚMERO DA PEÇA
IRFIB5N65APBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.83
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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